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    3. 富士電機株式會社

      ニュースリリース

      2021年10月26日
      富士電機株式會社

      データセンターや通信基地局の省電力化に貢獻する
      第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズの発売について

      富士電機株式會社(代表取締役社長:北澤 通宏、本社:東京都品川區)は、データセンターや通信基地局などの省電力化に貢獻するパワー半導體「第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズ」を発売しましたので、お知らせいたします。
      Schottky Barrier Diode

      1. 背景

      DX(デジタルトランスフォーメーション)の導入やリモートワークの増加、インターネットサービスの利用拡大などにより、ネットワーク通信量が増加し、データセンターや通信基地局では設備投資が加速しています。これに伴い、電源機器の需要も増加しており、電源機器の市場規模は現在の約3,000億円から2028年度に約4,500億円に伸長すると見られています。
      データセンターや通信基地局では、設備の稼働に多くの直流電力を必要とするため、電源機器には、電力會社などから受電した交流の電力を高効率で直流に変換(整流)するパワー半導體(ダイオード)が搭載されています。

      パワー半導體は、通電時に電力損失(定常損失)が生じます。今回、データセンターや通信基地局などの電源機器向けに、電子回路內の定常損失を低減することで省電力化に貢獻する「第2世代ディスクリートSiC-SBDシリーズ」を開発し、発売しました。

      當社は、本製品をグローバルに展開し、機器の省電力化を通じて、脫炭素社會の実現に貢獻します。

      IHS社の資料をもとに、當社推定
      2世代ディスクリートSiC-SBD(左からTO-220-2、TO-220F-2、TO-247-2)

      第2世代ディスクリートSiC-SBD
      (左からTO-220-2、TO-220F-2、TO-247-2)

      2. 製品の特長

      基板の厚みを1/3にするなどし、低損失化を実現

       パワー半導體の電力損失を低減させる方法の一つに、素子である基板を薄く加工し、電気が流れる距離を短くすることがあります。本製品は、搭載するSiC(シリコンカーバイド)基板を當社の従來品である第1世代SiC-SBDシリーズに比べて約1/3に薄化するとともに、チップ構造を変更することで定常損失を16%削減しました?;澶伪』摔?、當社獨自の加工技術を適用し、業界最高レベルの薄さを実現。さらに、雷などによる大電流への耐性も高めました。これらにより搭載機器の省エネと信頼性向上に貢獻します。
      定格電圧650V品

      3. 主な仕様

      型式名 定格電圧(V) 定格電流(A) 順電圧(V) サージ順電流(A) パッケージ
      FDC2PT06S65 650 6 1.3 54 TO-220-2
      FDC2PT08S65 650 8 1.3 68 TO-220-2
      FDC2PT10S65 650 10 1.3 82 TO-220-2
      FDC2AT06S65 650 6 1.3 54 TO-220F-2
      FDC2AT08S65 650 8 1.3 68 TO-220F-2
      FDC2AT10S65 650 10 1.3 82 TO-220F-2
      FDC2WT20S120 1,200 20 1.57 190 TO-247-2
      FDC2WT40S120 1,200 40 1.57 305 TO-247-2
      現在開発中(2022年1月発売予定)

      4. 製品に関するお問合せ先

      富士電機株式會社 半導體事業本部 営業統括部 営業第一部
      ☎03-5435-7152
      【製品カタログホームページ】

      http://www.freshair.org.cn/products/semiconductor/catalog/

      ※本リリースに掲載している情報(製品仕様や問い合わせ先、価格等)は発表日時點のものであり、予告なく変更する場合もございます。
      あらかじめご了承ください。
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